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AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd)：68W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：30.5nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:5000
MOQ:50
50+
$0.12437
100+
$0.12224
500+
$0.12012
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AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd)：68W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：30.5nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:5000
MOQ:5
5+
$0.25043
50+
$0.19472
150+
$0.17084
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AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd)：68W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：30.5nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:5000
MOQ:1
1+
$0.15567
30+
$0.15011
100+
$0.14455
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