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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj...
MPQ:5000
MOQ:5
5+
$0.14576
50+
$0.11781
150+
$0.10584
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj...
MPQ:5000
MOQ:20
20+
$0.08951
100+
$0.08798
500+
$0.08645
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj...
MPQ:5000
MOQ:1
1+
$0.09548
100+
$0.09403
1250+
$0.09258
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