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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.71655
10+
$0.57888
30+
$0.50936
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:50
50+
$0.40815
100+
$0.40111
500+
$0.39408
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AGMSEMI
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MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.49754
30+
$0.48038
100+
$0.44607
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.62208
100+
$0.51816
750+
$0.4801
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