AGM412S
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AGM405AP1
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.7nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Vds=40V Id=45A Rds=5.7mΩ
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AGM30P08AP
AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ，Vds=-30V Id=-60A Rds=7.2mΩ
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AGM60P100A
AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Vds=-60V Id=-140A Rds=5.5mΩ
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AGM3015H-W1
AGMSEMI
TO-263
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AGM418MAP
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PDFN-8(3.3x3.3)
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AGM12T05D
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AGM025N10H
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TO-263
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AGM30P150D
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TO-252
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AGM6014A
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Vds=60V Id=80A Rds=4.6mΩ
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