BAS521

FEATURED PRODUCT SOMRON

• 1N4448W

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• S8050-H

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  封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:500 集电极基极击穿电压 V:40 集电极发射极击穿电压 V:25 发射极击穿电压BVEBO:200 频率Ft:150

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• YJL05N06AL

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  封装:SOT-23-3L 产品等级:Industrial 结构:Single 产品极性:N 漏源电压:60 栅源电压:±20

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• BZT52C5V6

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  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):5.6 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):40 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):400 反向漏电流 IR@VR(μA):1 反向测试电压 VR(V):2

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• SSL26A

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  封装:SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):60 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):0.55 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):120 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• MMDT5401

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  封装:SOT-363 极性:PNP+PNP 集电极耗散功率 mW:200 集电极电流 mA:-600 集电极基极击穿电压 V:-160 集电极发射极击穿电压 V:-150 发射极击穿电压BVEBO:100 频率Ft:100

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• BAV21WS

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  封装:SOD-323 损耗功率 PD:250 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1 正向测试电流 IF:100 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50

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• ES5J

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  超快恢复二极管 SMC

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• BZX584C3V3

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  BZX584C3V3 BZX584C3V3-F2-0000HF SOD-523

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• 1N4007

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  1000V,1A

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