BZX84B15W

FEATURED PRODUCT SOMRON

• BZT52B4V3

  YANGJIE

  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):4.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1

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• BZT52B22

  YANGJIE

  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):22 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):55 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):250 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):17

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• 1N4007G

  YANGJIE

  封装:DO-41 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):2.5 结电容 Cj(PF):6 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• BZX84C10

  YANGJIE

  封装:SOT-23 损耗功率 PD(mW):350 稳压值VZ@IZT Nom(V):10 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):20 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.2 反向测试电压 VR(V):7

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• BZT52B2V4

  YANGJIE

  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):2.4 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):100 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):45 反向测试电压 VR(V):1

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• BZT52B12

  YANGJIE

  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):12 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):20 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):9

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• BZT52B36

  YANGJIE

  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):36 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):90 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):350 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):27

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• GS1M

  YANGJIE

  封装:SMA 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):8 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• BZT52C18S

  YANGJIE

  封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):18 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):45 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):225 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):12.6

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• BZX84C3V3

  YANGJIE

  封装:SOT-23 损耗功率 PD(mW):350 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1

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