BZX84B8V2Q

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MURB1660CT
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此物料最小包方式为 TO-263
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SS5U100PA
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BZX84C3V3
YANGJIE
封装:SOT-23 损耗功率 PD(mW):350 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1
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BAS21
YANGJIE
封装:SOT-23 损耗功率 PD:250 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:250 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:100 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50
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BC846BQ
YANGJIE
封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率PCM(mW):300 集电极电流IC(mA):100 集电极发射极击穿电压BVCEO(V) :65 放大倍数 Min:200 放大倍数 Max:450
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BZT52B11S
YANGJIE
小信号稳压管 SOD-323
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SMAJ28A
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SMAJ28A
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SSL36A
YANGJIE
封装:SMA 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):60 最大正向浪涌电流IFSM(A):60 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):250 工作结温Tj(℃):-55~+150
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SM8S36CAQ
YANGJIE
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S34F
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封装:SMAF 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):70 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):175 工作结温Tj(℃):-55~+125
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