ES1DB
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Specification
| If-forward Current | 1A |
| Vr-reverse voltage | 200V |
| Reverse recovery time | 35nS |
| Vf-Forward Voltage | 950mV |
| 工厂最小包装 | 3000 |
| 寿命周期 | -- |
| ROHS | no |
| Reverse Leakage Current | 5uA |
| Configuration | 独立式 |
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ES1DB Releted Information
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FEATURED PRODUCT SOMRON
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G1M
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封装:SOD-123FL 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):7 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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封装:SMA 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):60 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):0.7 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):50 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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封装:SOD-123FL 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):50 工作结温Tj（℃）:-55～+125
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GBU406
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封装:GBU 最大正向电流lo(A):4 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):135 最大正向压降VF(V):1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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封装:TO-277 最大正向电流lo(A):15 最大反向峰值电压VRM (V):100 最大正向浪涌电流IFSM(A):275 最大正向压降VF(V):0.8 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):/ 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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SS34B
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封装:SMB 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):70 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):170 工作结温Tj（℃）:-55～+125
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