HD10S
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FEATURED PRODUCT SOMRON
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MURB860
YANGJIE
最大正向电流lo:8A 最大反向峰值电压VRM:600V 最大正向浪涌电流IFSM:100A 最大正向压降VF:1.6V 最大反向漏电流IR@25℃IR:10uA 最大反向恢复时间Trr:35ns 结电容Cj:100pF 工作结温Tj:-55℃～+150℃
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DB107
YANGJIE
DB 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM(V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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YJL3407A
YANGJIE
封装:SOT-23 结构:Single 产品极性:P 漏源电压:-30 栅源电压:±20
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MBRB2045CT
YANGJIE
肖特基二极管
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EMA520
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SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM(V):2000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.3 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):7 工作结温Tj（℃）:-55～+150"}]
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EM520AG
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封装:SMA-W 最大正向电流lo(A):0.5 最大反向峰值电压VRM (V):2000 最大正向浪涌电流IFSM(A):20 最大正向压降VF(V):2 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):4.5 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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BCX56-16
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封装:SOT-89 极性:NPN 集电极耗散功率PCM（mW） :500 集电极电流IC（A）:1 集电极发射极击穿电压 BVCBO :100 集电极发射极击穿电压 BVCEO:80 发射极击穿电压 BVEBO:5 放大倍数 Min:100 放大倍数 Max:250 频率Ft:130
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BAV21W
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封装:SOD-123 损耗功率 PD:400 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1 正向测试电流 IF:100 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50
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SS14A
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封装:SMA 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):50 工作结温Tj（℃）:-55～+125
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YJL3407C
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