HER506G

FEATURED PRODUCT SOMRON

• YJD18GP10AQ

  YANGJIE

  封装:TO-252 极性:P 漏源击穿电压VDSS（V）:-100 零栅极电压漏极电流ID（A）:-18 损耗功率PD（W) :72 栅源电压VGS(V) :±20 门极阈值电压:-1.8

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• BC856A

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  Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23

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• BC817-25

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• SR5100

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  SR5100 DO-201AD

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• MMBT3906

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  封装:SOT-23 极性:PNP 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:-200 集电极基极击穿电压 V:-40 集电极发射极击穿电压 V:-40 发射极击穿电压BVEBO:100 频率Ft:250

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• SS320B

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  封装:SMB 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):70 最大正向压降VF(V):0.9 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.1 结电容 Cj(PF):90 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• ES2DA

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  SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):0.95 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间Trr（ns）:35 结电容Cj(PF):31 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• SMBJ12CA

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  SMBJ12CA

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• SS14A

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  封装:SMA 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):50 工作结温Tj（℃）:-55～+125

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• BAT46WQ

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  封装:SOD-123 不重复反向电压VR:100 平均电流IF（A）:0.15 浪涌电流IFSM (A) :0.75 正向电压:1 正向测试电流:250 反向漏电流:2 反向测试电流:75 反向恢复时间:-

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