HS1DB
In stock
- HS1DB Details
- Packing And Shipping
- Payment Method
- Quality Control
Specification
| Vr-reverse voltage | 200V |
| If-forward Current | 1A |
| Vf-Forward Voltage | 1V |
| Reverse recovery time | 50nS |
| 工厂最小包装 | 3000 |
| 寿命周期 | 量产 |
| ROHS | no |
| Reverse Leakage Current | 5uA |
| Configuration | 独立式 |
Others include "HS1DB" parts
The following parts include 'HS1DB'
HS1DB Releted Information
- Popular Products
FEATURED PRODUCT SOMRON
-
-
-
BZX84C3V3
YANGJIE
封装:SOT-23 损耗功率 PD(mW):350 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1
Learn More >
-
-
-
-
BZT52B20
YANGJIE
封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):20 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):55 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):225 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):15
Learn More >
-
-
-
-
BZT52B11
YANGJIE
小信号稳压管 SOD-123
Learn More >
-
-
-
-
BZT52C5V6SQ
YANGJIE
封装:SOD-323 损耗功率:300 稳压值VZ@IZT Nom(V):5.6 测试电流 (mA) :5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):40 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):400 反向漏电流 IR@VR(μA) :1 反向测试电压 VR(V):2
Learn More >
-
-
-
-
B5819WSQ
YANGJIE
封装:SOD-323 不重复反向电压VR:40 平均电流IF（A）:1 浪涌电流IFSM (A) :10 正向电压:0.6 正向测试电流:1000 反向漏电流:40 反向测试电流:40 反向恢复时间:-
Learn More >
-
-
-
-
ES3JBQ
YANGJIE
Learn More >
-
-
-
-
BZT52C3V3S
YANGJIE
封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1
Learn More >
-
-
-
-
SMAJ30CAQ
YANGJIE
Learn More >
-
-
-
-
SMAJ28A
YANGJIE
SMAJ28A
Learn More >
-
-
-
-
RB551V-30Q
YANGJIE
封装:SOD-323 不重复反向电压VR:30 平均电流IF（A）:0.5 浪涌电流IFSM (A) :2 正向电压:0.47 正向测试电流:500 反向漏电流:100 反向测试电流:20 反向恢复时间:-
Learn More >
-
-
View All Newest Products from Omron