MBRB10200CTS

FEATURED PRODUCT SOMRON

• BAS40-05

  YANGJIE

  封装:SOT-23 反向击穿电压:40 平均电流IF:0.2A 浪涌电流IFSM(A):- 正向电压VF:1V 正向电流@IF:40mA 反向漏电流IR:0.2uA 反向电压IR@VR:30V 反向恢复时间TRR:5nS

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• GBL408A

  YANGJIE

  GBL408A-B1-0000 GBL

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• SMF28CA

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  SOD-123

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• HS2M

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  封装:SMB 最大正向电流lo:2A 最大反向峰值电压VRM:1000V 最大正向浪涌电流IFSM:50A 最大正向压降VF:1.7V 最大反向漏电流IR@25℃IR:5uA 最大反向恢复时间Trr:75ns 结电容Cj:12pF 工作结温Tj:-55℃～+150℃

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• MBR20200CD

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  封装:TO-252 最大正向电流lo(A):20 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):150 最大正向压降VF(V):0.9 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.1 结电容 Cj(PF):600 工作结温Tj（℃）:-55～+175

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• M7F

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  整流二极管

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• SMBJ15CA

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  SMB UniorBi:Bi 最大功耗PPk（W）:600 峰值工作反向电压VRWM(V):15 正向浪涌电流:100

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• BAV99

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  封装:SOT-23 损耗功率 PD:350 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:75 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:150 反向漏电流 IRM:2.5 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4

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• BZT52C56S

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  封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):56 测试电流 IZT(mA):2 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):200 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):1000 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):42

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• 1N4148WL2

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  封装:DFN1006-2L 损耗功率 PD:100 平均电流 IF:150 反向击穿电压 VBR:100 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:150 反向漏电流 IRM:1 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4

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