MBRB20200CT

FEATURED PRODUCT SOMRON

• BZT52C56S

  YANGJIE

  封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):56 测试电流 IZT(mA):2 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):200 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):1000 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):42

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• M7F

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  整流二极管

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• BAS40-05

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  封装:SOT-23 反向击穿电压:40 平均电流IF:0.2A 浪涌电流IFSM(A):- 正向电压VF:1V 正向电流@IF:40mA 反向漏电流IR:0.2uA 反向电压IR@VR:30V 反向恢复时间TRR:5nS

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• MBR20200CD

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  封装:TO-252 最大正向电流lo(A):20 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):150 最大正向压降VF(V):0.9 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.1 结电容 Cj(PF):600 工作结温Tj（℃）:-55～+175

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• SMBJ15CA

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  SMB UniorBi:Bi 最大功耗PPk（W）:600 峰值工作反向电压VRWM(V):15 正向浪涌电流:100

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• HS2M

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  封装:SMB 最大正向电流lo:2A 最大反向峰值电压VRM:1000V 最大正向浪涌电流IFSM:50A 最大正向压降VF:1.7V 最大反向漏电流IR@25℃IR:5uA 最大反向恢复时间Trr:75ns 结电容Cj:12pF 工作结温Tj:-55℃～+150℃

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• BZT52C6V2

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  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):6.2 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):10 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):3 反向测试电压 VR(V):4

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• ES2GA

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  封装:SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):400 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):1.3 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):17 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• GBL408A

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  GBL408A-B1-0000 GBL

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• 1N5408G

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  封装:DO-201AD 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):200 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):2.5 结电容 Cj(PF):40 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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