YJG40NP03B
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MMSZ5248BS
YANGJIE
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MMBTA42
YANGJIE
封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率 mW:350 集电极电流 mA:500 集电极基极击穿电压 V:300 集电极发射极击穿电压 V:300 发射极击穿电压BVEBO:40 频率Ft:50
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BZT52B27SQ
YANGJIE
封装:SOD-323 损耗功率:300 稳压值VZ@IZT Nom(V):27 测试电流 (mA) :2 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):80 测试电流 Izk (mA):0.5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):300 反向漏电流 IR@VR(μA) :0.1 反向测试电压 VR(V):18.9
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MURS360
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封装:SMC 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):1.25 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:50 结电容 Cj(PF):50 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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MMBT5551
YANGJIE
封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:600 集电极基极击穿电压 V:180 集电极发射极击穿电压 V:160 发射极击穿电压BVEBO:100 频率Ft:100
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2SC2412-S
YANGJIE
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SL545F
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SS320B
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封装:SMB 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):70 最大正向压降VF(V):0.9 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.1 结电容 Cj(PF):90 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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SS34
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MMSZ5234B
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):6.2 测试电流 IZT(mA):20 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):7 测试电流 Izk (mA):0.25 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):1000 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):4
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